Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 20 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 40 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 3 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 500 mV
Corrente do coletor DC máxima: 400 mA
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 1,2 GHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 200 C
Marca: Infineon Technologies
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
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