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Transistor ZVN2110GTA
Mosfet Canal N 100 Volts
Especificações:
Fabricante: Diodos Incorporados
Categoria de produto: Mosfet Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SOT-223-3
Polaridade do transistor: N-Canal
Número de canais: 1 Canal
Vds Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100 V Id
Corrente de drenagem contínua: 500mA
Rds On Fonte de drenagem na resistência: 4Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:- 20V, + 20V
Tensão de limite porta e fonte: 800mV
Temperatura operacional mínima: - 55°C
Temperatura operacional máxima: + 150°C Pd
Dissipação de potência: 2W
Modo de canal: Realce
Configuração: Único
Altura: 1.65mm
Comprimento: 6.7mm
Série: ZVN2110
Tipo de transistor: 1 N-Canal
Largura:3.7 mm
Marca: Diodos Incorporados
Transcondutância em avanço - Mín: 250S
Tempo de queda: 8ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 4 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 8ns
Tempo típico de ativação/retardo : 4ns
O ZVN2110GTA é um MOSFET (Transistor de Efeito de Campo Semicondutor de Óxido Metálico) de Canal N fabricado pela Diodes Incorporated . O sufixo "GTA" normalmente se refere à embalagem e, possivelmente, a uma configuração de fita e rolo para montagem em superfície.
Aqui está uma análise de suas principais características e aplicações:
Principais características:
Tipo de transistor: MOSFET de canal N
Polaridade: Canal N (Modo de aprimoramento)
Tensão dreno-fonte (Vdss): 100V
Esta é a tensão máxima que pode ser aplicada entre o dreno e a fonte sem danificar o transistor. Indica que é adequada para aplicações que envolvem tensões moderadas a altas.
Corrente de dreno contínua (Id): 500mA (à temperatura ambiente de 25°C)
Esta é a corrente contínua máxima que pode fluir pelo dreno.
Resistência no estado ligado (Rds(on)): 4 Ohms (a 1A, Vgs=10V)
Esta é a resistência entre o dreno e a fonte quando o MOSFET está totalmente "ligado" (conduzindo). Um Rds(ligado) menor significa menos dissipação de energia e maior eficiência.
Tensão de limiar de porta-fonte (Vgs(th)): Normalmente 2,4V (a 1mA)
Esta é a tensão mínima necessária entre o gate e a fonte para começar a ligar o MOSFET.
Tensão máxima de porta-fonte (Vgs): ±20V
A tensão máxima que pode ser aplicada entre o gate e a fonte sem danificar o isolamento do gate.
Dissipação de energia (Pd): 2W (à temperatura ambiente de 25°C)
Pacote: SOT-223-3 (Dispositivo de montagem em superfície - 3 pinos).
O SOT-223 é um encapsulamento SMD comum, conhecido por seu tamanho compacto e capacidade de lidar com dissipação de energia moderada em comparação com encapsulamentos SMD menores, como o SOT-23. O "-3" indica 3 pinos (Gate, Drain, Source).
Faixa de temperatura operacional: -55°C a +150°C (temperatura de junção, TJ)
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) - especificamente, é um DMOS FET (Double-diffused MOSFET) vertical.
Características: Projetado para minimizar a resistência no estado ligado e manter um desempenho de comutação superior.
Pinagem (SOT-223-3):
Normalmente, a pinagem de um MOSFET SOT-223 é:
Porta (G) : A entrada de controle.
Dreno (D) : Um dos principais terminais condutores de corrente, geralmente conectado à aba maior para dissipação de calor.
Fonte (S) : O outro terminal principal de condução de corrente.
Aplicações comuns:
O ZVN2110GTA foi projetado para aplicações de comutação onde o manuseio moderado de tensão e corrente, juntamente com a eficiência, são importantes. Suas características o tornam adequado para:
Conversores CC-CC: usados em circuitos de alimentação para converter um nível de tensão CC em outro, geralmente exigindo comutação eficiente.
Drivers de solenoide/relé: para controlar cargas indutivas, como solenoides ou relés, em aplicações automotivas e industriais
Acionamentos de motores: Em pequenos circuitos de controle de motores.
Aplicações de gerenciamento de energia de alta eficiência: onde minimizar a perda de energia é fundamental.
Comutação de uso geral: qualquer aplicação que exija uma comutação rápida e eficiente para correntes de até 500mA e tensões de até 100V.
Drivers de LED: Para controlar a corrente através dos LEDs.
Valor unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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