Transistor VNN1NV04PTR-E = 1NV04P

Transistor VNN1NV04PTR-E
Driver de Porta

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Drivers de portas
Produto: Drivers MOSFET Gate
Tipo: Lado Baixo
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: SOT-223-3
Número de motoristas: 1 motorista
Número de limites: 1 saída
Corrente de saída: 1.7 A
Configuração: Single
Tempo de ascensão: 170 ns
Tempo de queda: 200 ns
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: VNN1NV04P-E
Qualificação: AEC-Q100
Tecnologia: Si
Marca: STMicroelectronics
Desligamento: Sim
Tempo de retardo de desligamento máximo: 1000 ns
Tempo de retardo de acionamento máximo: 200 ns
Sensível à umidade: Sim
Corrente de Alimentação Operativa: 100 uA
Pd - Dissipação de potência: 7 W
Tipo de Produto: Gate Drivers
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 250 mOhms
Subcategoria: PMIC - CIs de gerenciamento de energia

O Transistor VNN1NV04PTR-E, também conhecido como 1NV04P, é um MOSFET de potência canal N inteligente da STMicroelectronics, projetado para aplicações de comutação e controle em sistemas automotivos e industriais. Ele integra um transistor de potência com controle lógico TTL e circuitos de proteção internos, oferecendo alta eficiência, confiabilidade e simplicidade no design.
Este dispositivo é amplamente utilizado em drivers de carga, atuadores, sistemas embarcados e controle de motores DC, onde é necessária alta corrente, baixa dissipação e proteção contra condições adversas.

Características principais:
Fabricante: STMicroelectronics
Modelo: VNN1NV04PTR-E (Código da Peça: 1NV04P)
Tipo: MOSFET canal N inteligente
Tensão máxima de drenagem-fonte (Vds): 40 V
Corrente contínua de dreno (Id): até 3,5 A
Rds(on) típico: 0,120 Ω (a 5 V de Vgs)

Proteções internas:
Contra sobrecorrente
Contra sobretensão (clamping)
Contra sobretemperatura
Proteção ESD (descarga eletrostática)
Interface lógica compatível com níveis TTL/CMOS
Isolamento térmico integrado e limitação automática de corrente
Encapsulamento: PowerSO-8 (SMD)
Temperatura de operação: –40 °C a +150 °C

Vantagens:
Baixa dissipação de calor graças à baixa resistência Rds(on)
Proteção integrada simplifica o projeto do circuito
Alta imunidade a ruídos e transientes de carga
Compacto e eficiente para uso automotivo (12 V)
Suporte a acionamento direto por microcontrolador

Aplicações típicas:
Controle de cargas resistivas, indutivas e capacitivas
Acionamento de relés, válvulas e motores DC
Sistemas automotivos (iluminação, atuadores, ECU)
Fontes chaveadas e módulos embarcados
Controle de potência em equipamentos industriais
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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