Transistor VN2222LL Samsung

Transistor VN2222LL Samsung

Especificações
Fabricante: Microchip
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 230 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 7,5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 1 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 5,33 mm
Comprimento: 5,21 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: FET
Largura: 4,19 mm
Marca: Microchip Technology
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs

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