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Transistor TIP29B National
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de combustão - BJT
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Corrente do coletor DC máxima: 1 A
Coletor - VCEO máx. tensão do emissor: 80 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 80 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 700 mV
Pd - Dissipação de potência: 2 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 3 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: TIP29B
Marca: onsemi
Tensão do coletor contínuo: 1 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 40
Altura: 9,28 mm
Comprimento: 10,28 mm
Subcategoria: Transistores
Largura: 4,82 mm
Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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