Transistor STP80NF55

Transistor P80NF55
MOSFETs LGS LV MOSFET

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de condução contínua: 80 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 189 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: STMicroelectronics
Configuração: Único
Tempo de queda: 65 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 150 S
Altura: 15,75 mm
Comprimento: 10,4 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 155 ns
Série: STB80NF55, STP80NF55
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 125 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 27 ns
Largura: 4,6 mm

O STP80NF55 é um transistor MOSFET canal N de alta potência, projetado para aplicações de comutação rápida e controle eficiente de energia em circuitos elétricos e eletrônicos.
Possui baixa resistência dreno-fonte (RDS(on)), reduzindo perdas por condução e melhorando a eficiência energética do sistema.
Este MOSFET é ideal para fontes chaveadas (SMPS), inversores, controle de motores, drivers de carga e circuitos industriais, suportando altas correntes e variações de tensão com robustez e confiabilidade.
Seu encapsulamento TO-220 permite fácil fixação em dissipadores, garantindo boa dissipação térmica e operação segura em aplicações de média e alta potência.
O STP80NF55 também oferece rápida velocidade de chaveamento, excelente capacidade de corrente e alta tolerância a picos transitórios, tornando-o uma escolha confiável para projetos que exigem desempenho estável e duradouro.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

Para mais informações, entre em contato.