Transistor STP220N6F7 = 220N6F7

Transistor STP220N6F7 = 220N6F7 ST To-220
Mosfet Canal N 60 Volts 0.0021 mOhm typ 120 Amperes STripFET F7 Power MOSFET

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 60 V
Id - Corrente de condução contínua: 120 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,4 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 100 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 237 W
Modo de canal: Aprimoramento
Nome comercial: STripFET
Série: STP220N6F7
Embalagem: Vareta
Marca: STMicroelectronics
Configuração: Único
Tempo de queda: 29 ns
Altura: 4,6 mm
Comprimento: 15,75 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 103 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 54 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 33 ns
Largura: 10,4 mm

O Transistor STP220N6F7 (220N6F7) é um MOSFET N-Channel de potência projetado para aplicações que exigem alta corrente, baixa resistência RDS(on) e comutação rápida, garantindo eficiência em circuitos eletrônicos de média e alta potência.
Com tensão máxima de dreno-fonte de 60V e capacidade de corrente de até 220A, este MOSFET é ideal para fontes chaveadas (SMPS), inversores, drivers de motor e outros sistemas industriais. Sua baixa resistência interna reduz perdas de energia e aquecimento, aumentando a confiabilidade e durabilidade do equipamento.
O STP220N6F7 combina robustez térmica e desempenho consistente, oferecendo operação estável mesmo sob condições exigentes de carga e temperatura.

Principais aplicações:
Fontes chaveadas (SMPS)
Inversores e conversores de energia
Drivers de motor e controle industrial
Equipamentos eletrônicos de alta performance
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

Para mais informações, entre em contato.