Transistor STP200N3LL

Transistor STP200N3LL
Mosfet LGS LV Mosfet

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 120 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 2,15 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 53 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 176,5 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Série: STP200N3LL
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 108 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 183 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 90 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 18 ns

O STP200N3LL é um transistor MOSFET de canal N projetado para aplicações de alta eficiência e baixa perda de condução, oferecendo excelente desempenho em sistemas de potência.
Com baixa RDS(on) e rápido tempo de chaveamento, é ideal para circuitos que exigem alta corrente, estabilidade térmica e elevada robustez elétrica.
Desenvolvido para operar em tensões moderadas, o STP200N3LL é amplamente utilizado em fontes chaveadas (SMPS), drivers de motores, conversores DC-DC, controle de cargas, baterias, sistemas automotivos e aplicações industriais.
Seu encapsulamento de potência garante boa dissipação térmica, permitindo operação confiável em ambientes exigentes.

Principais Características:
Tipo: MOSFET Canal N
Baixa resistência RDS(on) para máxima eficiência
Alta capacidade de corrente
Rápida velocidade de chaveamento
Baixa dissipação de energia
Excelente robustez térmica e elétrica

Aplicações: fontes chaveadas, drivers, automação, conversores, controle de cargas e circuitos industriais
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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