Transistor SSH8N90A

Transistor SSH8N90A

Designador de tipo: SSH8N90A
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de controle: N - canal
Dissipação máxima de energia (Pd): 240 W
Tensão máxima da fonte de drenagem | Vds |: 900 V
Tensão máxima da fonte da porta | Vgs |: 30 V
Tensão máxima de limiar de porta | Vgs (th) |: 3,5 V
Corrente máxima de drenagem | Id |: 8 A
Temperatura Máxima de Junção (Tj): 150 ° C
Carga total da porta (Qg): 94 nC
Tempo de subida (tr): 38 nS
Capacitância da fonte de drenagem (Cd): 185 pF
Resistência máxima ligada à fonte de drenagem (Rds): 1,6 Ohm
Encapsulamento: TO-3P

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