• Minha Conta
  • Login
  • Crie uma conta
Alternar Nav
Pesquisa
Menu
Conta
Adicionar aos favoritos

Transistor R6020ENX Rohm

Produto: Em estoque
SKU
013493
0 avaliações
R$58,00
-5%
 R$55,10

Desconto à vista
ou R$58,00 em 1x de R$58,00 s/ juros

Outras formas de pagamento
Adicionar aos favoritos
Apenas 90 unidades restantes!
*Não sei meu CEP
  • Novo
main product photo
Detalhes do produto
Mais informações

Transistor R6020ENX
MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET

Especificações:
Fabricante: ROHM Semiconductor
Categoria do produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-220FM-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V
Id - Corrente de condução contínua: 20 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 170 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 60 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd- Dissipação de potência: 68 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: ROHM Semiconductor
Configuração: Único
Tempo de queda: 67 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 5 S
Altura: 15,4 mm
Comprimento: 10,3 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 53 ns
Série: Super Junction-MOS EN
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 150 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 35 ns
Largura: 4,8 mm
Analise do número da peça: R6020ENXC7G

Especificações Técnicas:

Parâmetro Valor típico / máximo Observações
Tipo N‑channel MOSFET de potência  
Drive (tensão de gate) 10 V “10 V drive type”
V_DS (tensão drenador‑fonte, breakdown) 600 V  
I_D contínua de drenador (Tc, temperatura do case) 20 A  
R_DS(on) típico (V_GS = 10 V) ~ 0,17 Ω  
Carga total do gate Q_g ~ 60 nC  
Tempo de recuperação reversa (T_rr) típico ~ 550 ns  
Temperatura de armazenamento ‑55 °C até +150 °C  
Potência máxima de dissipação ~ 50 W (condição de case)  
Encapsulamento / tamanho TO‑220FM (3 pinos, through‑hole)  
Dimensões do pacote ~ 10,1 × 15,1 mm, espessura (flange) ~ 4,8 mm  

Características e Limitações:
“Super Junction” MOSFET de alta tensão – desenhado para operar em ambientes onde é preciso suportar tensões elevadas.
Baixa resistência “on” relativa para sua classe, mas ainda significativa – isso implica em perdas de condução quando a corrente for alta.
A carga do gate (~60 nC) e tempo de recuperação (T_rr) significam que não é exatamente ultrarrápido; para frequências muito altas isso pode representar limitação de eficiência ou exigência de driver de gate robusto.
Temperaturas de junção/case devem ser bem gerenciadas, pois dissipação de 50 W exige bom dissipador ou bom fluxo de ar.
O limite do gate‑source V_GS geralmente é ±20 V (mas trabalhar sempre dentro da faixa garantida para R_DS(on) ideal) para evitar dano ao gate.

Aplicações Típicas:
Fontes chaveadas (SMPS) de alta tensão:
Inversores ou conversores para motores ou outros atuadores onde haja tensão elevada
Chaves de potência em circuitos com isolamento ou que requeiram suportar picos elevados
Utilização em paralelo possível, mas atenção à igualação de resistências e controle térmico
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
 
Para mais informações, entre em contato.