Transistor P80N70F4 = STP80N70F4 T0-220

Transistor P80N70F4 = STP80N70F4 T0-220
Mosfet

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 68 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 85 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 8,2 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 90 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Série: STP80N70F4
Tipo de transistor: 1 canal N
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 25 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 36 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 80 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 25 ns

O Transistor P80N70F4 / STP80N70F4 (TO-220) é um MOSFET de potência do tipo N-channel, projetado para aplicações que exigem alta eficiência, baixa dissipação e comutação rápida.
Com capacidade de suportar altas correntes e tensões, destaca-se por sua baixa resistência RDS(on), o que reduz perdas e melhora o desempenho térmico do circuito.
Amplamente utilizado em fontes chaveadas (SMPS), inversores, drivers de motor, UPS, conversores DC-DC, entre outras aplicações de potência, o P80N70F4 garante operação estável mesmo em condições severas.
Seu encapsulamento TO-220 facilita a instalação e permite o uso de dissipadores para melhorar ainda mais a capacidade de operação em altas correntes.
O componente oferece alta robustez, excelente comportamento em transientes e confiabilidade a longo prazo, sendo ideal para projetos que demandam potência elevada e eficiência energética.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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