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Transistor P14NF12FP Isolado
Especificações
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220FP-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 120 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 8.5 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 180 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 15,5 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 25 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 9,3 mm
Comprimento: 10,4 mm
Série: STP14NF12FP
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Tempo de queda: 8 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 32 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 16 ns
O P14NF12FP é um transistor MOSFET de potência do tipo N-canal, fabricado pela STMicroelectronics.
Encapsulamento TO-220FP Isolado
A letra "F" em TO-220FP indica que a parte traseira do encapsulamento é isolada eletricamente. Em um transistor TO-220 padrão, a aleta metálica traseira é conectada ao terminal de dreno (D). Já no TO-220FP, essa aleta é revestida com um material plástico isolante.
Isso significa que você pode montá-lo diretamente em um dissipador de calor sem a necessidade de uma mica isolante ou bucha, simplificando a montagem e reduzindo o risco de curto-circuito com o chassi ou outros componentes.
Especificações Principais
Polaridade: N-channel
Tensão Dreno-Fonte (): 120V
Corrente de Dreno Contínua (): 8.5A (a ) - É importante notar que a corrente contínua é menor do que a versão não isolada devido à maior resistência térmica do encapsulamento "full-pack".
Resistência de Condução Dreno-Fonte (): (máximo a )
Dissipação de Potência (): 25W
Tensão Porta-Fonte (): ±20V
Aplicações: É uma excelente opção como chave primária em conversores DC-DC isolados de alta eficiência para aplicações de telecomunicações e computadores, e em qualquer circuito que exija baixa carga de porta para chaveamento rápido.
Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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