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O IRFP250N é um transistor MOSFET Canal N de alta potência desenvolvido para aplicações que exigem elevada capacidade de corrente, excelente desempenho de comutação e alta confiabilidade operacional.
Amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, amplificadores de potência, controle de motores, sistemas industriais e equipamentos eletrônicos, este MOSFET oferece ótima eficiência energética e excelente desempenho em circuitos de potência.
Seu encapsulamento TO-247 proporciona excelente dissipação térmica, tornando o IRFP250N uma excelente opção para manutenção eletrônica, reposição técnica e desenvolvimento de projetos profissionais.
✔ Transistor MOSFET IRFP250N
✔ Canal N
✔ Tensão máxima de 200V
✔ Corrente de até 30A
✔ Encapsulamento TO-247
✔ Baixa resistência RDS(on)
✔ Alta velocidade de chaveamento
✔ Excelente dissipação térmica
✔ Elevada robustez operacional
✔ Ideal para aplicações de potência
✔ Alta confiabilidade eletrônica
O IRFP250N oferece excelente desempenho em aplicações que exigem chaveamento rápido, alta corrente e estabilidade operacional.
Sua construção robusta proporciona maior confiabilidade em equipamentos eletrônicos de potência, contribuindo para melhor eficiência energética e maior durabilidade dos sistemas onde é aplicado.
É amplamente utilizado por técnicos, estudantes, desenvolvedores e profissionais da eletrônica para manutenção, reparo e desenvolvimento de projetos.
O IRFP250N é utilizado em fontes chaveadas, inversores, amplificadores, controle de motores, automação industrial e diversos circuitos eletrônicos de potência.
Sim. O IRFP250N é amplamente utilizado para reposição e manutenção de equipamentos eletrônicos e industriais.
Sim. O IRFP250N utiliza encapsulamento TO-247, proporcionando excelente dissipação térmica e robustez mecânica.
Garanta agora o Transistor MOSFET IRFP250N Canal N 200V 30A TO-247 e obtenha máxima eficiência, confiabilidade e desempenho para seus projetos e equipamentos eletrônicos.