Transistor MMBA811C6 = 2N5086 PNP HFE 200-400 (C6) Smd

Transistor MMBA811C6 = 2N5086 PNP HFE 200-400 (C6) Smd

Especificações:
Atributo de produto Valor do atributo Procurar semelhante
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 3 V
Corrente do coletor DC máximo: 0,1 A
Pd - Dissipação de potência: 625 MW
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
hFE máx. de ganho de corrente DC: 500
Altura: 4,58 mm
Comprimento: 4,58 mm
Tecnologia: Si
Largura: 3,86 mm
Marca: onsemi / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 0.1 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 150
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores

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