Transistor MJE3055T

Transistor MJE3055T
Transistor Bipolar de Junção NPN

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 60 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 70 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.1 V
Corrente do coletor DC máxima: 10 A
Pd - Dissipação de potência: 75 W
Produto fT da largura de banda de ganho: 2 MHz
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJE3055T
Embalagem: Vareta
hFE máx. de ganho de corrente DC: 70
Altura: 9,15 mm
Comprimento: 10,4 mm
Tecnologia: Si
Largura: 4,6 mm
Marca: STMicroelectronics
Tensão do coletor contínua: 10 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 20
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores

O Transistor NPN MJE3055T é um componente semicondutor de alta potência, projetado para aplicações de amplificação e chaveamento em circuitos eletrônicos. Ele suporta correntes elevadas e tensões relativamente altas, sendo amplamente utilizado em fontes de alimentação, amplificadores de áudio, drivers de motores e outros circuitos de potência.
Com boa robustez térmica e confiabilidade, o MJE3055T permite operação estável mesmo em condições exigentes, garantindo desempenho consistente em projetos eletrônicos que necessitam de controle eficiente de corrente e tensão.

Principais características:
Tipo: Transistor NPN
Aplicações: Amplificação, chaveamento, fontes de alimentação, drivers de motor
Alta potência e corrente suportada
Construção robusta e confiável
Encapsulamento: TO-220
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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