Transistor MJE13009L

Transistor MJE13009L
KSE13009LTU Transistor Bipolar de Junção

Especificações:
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistores bipolares de produto - BJT
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-3P-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Solteiro
Coletor - VEO máx. de voltagem do emissor: 400 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 700 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 9 V
Corrente do coletor DC máxima: 12 A
Pd - Dissipação de potência: 130000 mW
Produto fT da largura de banda de ganho: 4 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Marca: onsemi / Fairchild
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 8
hFE máx. de ganho de corrente DC: 8
Altura: 19,9 milímetros
Largura: 15,6 mm
Tipo de Produto: BJTs - Transistores Bipolares
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: Si
Largura: 4,8 mm

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