Transistor MJD122T4G Smd

Transistor MJD122T4G Smd
Transistores Darlington

Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores Darlington
Configuração: Single
Polaridade do transistor: NPN
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 100 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 100 V
Corrente do coletor DC máxima: 8 A
Corrente de desligamento máximo do coletor: 10 uA
Pd - Dissipação de potência: 20 W
Estilo de montagem: SMD / SMT
Caixa / Gabinete: TO-252-3 (DPAK)
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: MJD122
Altura: 2,38 mm
Comprimento: 6,73 mm
Largura: 6,22 mm
Marca: ON Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 8 A
Coletor DC / Ganho base hfe Min: 100, 1000
Tipo de Produto: Transistores Darlington
Subcategoria: Transistores

O Transistor MJD122T4G é um transistor NPN de potência em encapsulamento TO-252 (DPAK), capaz de suportar até 8A de corrente e 100V de tensão.
Com design SMD, é ideal para circuitos de:
Comutação rápida
Controle de motores
Amplificadores de potência
Fontes chaveadas e reguladores

Fabricado pela ON Semiconductor, apresenta alta eficiência térmica e elétrica, sendo amplamente utilizado em projetos eletrônicos industriais, automotivos e em manutenção técnica.

Especificações Técnicas:
Modelo: MJD122T4G
Tipo: Transistor NPN de potência
Encapsulamento: TO-252 (DPAK) SMD
Corrente Coletor (Ic): 8A
Tensão Coletor-Emissor (Vce): 100V
Dissipação de potência (Ptot): 65W
hFE (Ganhos de corrente): 40-250
Aplicações: Comutação, amplificação, controle de carga

Diferenciais da Loja:
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