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Transistor MDP1932
Mosfet Canal N 80 Volts 120 Amperes 3,4mΩ
Fabricante: MagnaChip
Transistor MDP1932
O MDP1932 é um transistor MOSFET de canal N fabricado pela MagnaChip Semiconductor, projetado para aplicações que exigem alta corrente e baixa resistência de condução. Com encapsulamento TO-220, é ideal para retificação síncrona em servidores, fontes chaveadas e aplicações industriais.
Especificações Técnicas:
Tipo: MOSFET de canal N, tecnologia Trench
Tensão máxima drain-source (V<sub>DS</sub>): 80 V
Corrente contínua de dreno (I<sub>D</sub>): 120 A @ V<sub>GS</sub> = 10 V
Resistência de condução (R<sub>DS(on)</sub>): < 3,4 mΩ @ V<sub>GS</sub> = 10 V
Corrente de pulso (I<sub>DM</sub>): 480 A
Tensão gate-source (V<sub>GS</sub>): ±20 V
Dissipação de potência (P<sub>D</sub>): 209 W @ T<sub>C</sub> = 25°C
Temperatura de operação: -55°C a +150°C
Encapsulamento: TO-220 (MDP1932TH)
Descrição detalhada:
O Transistor MDP1932 da Magnachip é um componente eletrônico de alta confiabilidade, projetado para operação em circuitos de comutação e amplificação. Com excelente capacidade de corrente e tensão, oferece desempenho estável e eficiente, sendo indicado para fontes chaveadas, conversores DC-DC, sistemas de áudio e outras aplicações que exigem controle preciso de potência elétrica. Seu encapsulamento garante facilidade de montagem e boa dissipação térmica.
Aplicações Comuns:
Retificação síncrona em fontes chaveadas
Conversores DC-DC de alta corrente
Controle de motores e cargas indutivas
Sistemas de alimentação para servidores e equipamentos industriais
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
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