Transistor MBQ60T65PES = 60T65PES

Transistor MBQ60T65PES = 60T65PES IGBT MagnaChip

Características:
Comutação de alta velocidade e baixa perda de energia VCE(sat) = 1,85V @ IC = 60A Eoff = 0,53mJ @ TC = 25°C
Alta impedância de entrada trr = 110ns (típ.) @diF/dt = 500A / μs
Temperatura máxima da junção 175°C

Transistor MBQ60T65PES
O MBQ60T65PES é um transistor IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de canal N, fabricado pela MagnaChip Semiconductor.
Este componente é projetado para aplicações de comutação de alta potência, como inversores, fontes de alimentação ininterrupta (UPS), sistemas de correção de fator de potência (PFC), soldadores e equipamentos de indução.

Especificações Técnicas:
Tipo: IGBT de canal N com diodo antiparalelo
Tensão máxima coletor-emissor (V_CE): 650 V
Corrente contínua de coletor (I_C): 60 A @ 100°C
Corrente de pulso de coletor (I_Cpuls): 180 A
Tensão de saturação coletor-emissor (V_CE(sat)): 1,85 V @ I_C = 60 A, V_GE = 15 V, T_vj = 25°C
Tensão máxima gate-emissor (V_GE): ±20 V
Temperatura máxima de junção (T_j): 175°C
Encapsulamento: TO-247

O Transistor IGBT MBQ60T65PES (60T65PES) da MagnaChip é um componente eletrônico de potência projetado para aplicações que exigem comutação eficiente de alta tensão e corrente. Combinando as características de transistores bipolares de junção (BJT) e MOSFETs, o IGBT oferece baixa queda de tensão e alta velocidade de comutação, garantindo operação estável e eficiente em fontes chaveadas, inversores, conversores DC-DC e sistemas industriais. Seu encapsulamento robusto proporciona boa dissipação térmica e facilidade de montagem em placas de circuito impresso ou módulos de potência.

Aplicações Comuns:
Inversores de frequência
Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
Sistemas de correção de fator de potência (PFC)
Equipamentos de soldagem
Aquecedores por indução
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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