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Transistor K40H603 = IKW40N60H3
Transistor IGBT 600V 40A 306W
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistor IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,95 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 80 A
Pd - Dissipação de potência: 306 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: HighSpeed 3
Embalagem: Vareta
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Largura: 5,31 mm
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: TRENCHSTOP
Aliases de núm de peça: IKW4N6H3XK - IKW40N60H3FKSA1
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