Transistor K25T1202 = IKW25N120T2

Transistor K25T1202 = IKW25N120T2
Transistor IGBT LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

Especificações:
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Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Pacote/Caixa: To247-3
Estilo de montagem: Através da abertura
Configuração: Solteiro
Tensão do coletor-emissor VCEO Max: 1,2kV
Tensão de saturação coletor-emissor: 1,7V
Tensão máxima do emissor do portão: - 20 V, 20 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 50A
Pd - Dissipação de Potência: 349 W
Temperatura Mínima de Operação: - 40ºC
Temperatura máxima de operação: + 175ºC
Série: Parada de valas IGBT4
Embalagem: Vareta
Marca: Tecnologias Infineon
Corrente de fuga do emissor-porta: 200 nA
Altura: 20,95mm
Comprimento: 15,9mm
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: PARADA DE TRILHAS
Largura: 5,3mm
Analise do codigo da peça: IKW25N12T2XK SP000244960 IKW25N120T2FKSA1

O Transistor K25T1202, equivalente ao IKW25N120T2, é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alta potência, projetado para aplicações industriais e eletrônicas que exigem controle eficiente de corrente e tensão. Com alta capacidade de condução de corrente e rápida comutação, é ideal para inversores, fontes chaveadas, conversores DC-DC e outros sistemas de controle de potência.
Fabricado com materiais de alta qualidade, o K25T1202 garante resistência a sobrecargas, operação térmica segura e durabilidade prolongada. Sua eficiência e confiabilidade tornam este IGBT uma solução robusta para projetos que necessitam de desempenho consistente e proteção em circuitos de alta potência.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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