Transistor IXTH50N20

Transistor IXTH50N20

MOSFET 50 Amperes 200 Volts

Especificações:
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através de Orificio
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 50 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 45 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 20 V
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 21.46 mm
Comprimento: 16.26 mm
Série: IXTH50N20
Tipo de transistor: 1 Canal N
Largura: 5.3 mm
Marca: IXYS
Transcondutância em avanço - Mín: 32 S
Tempo de queda: 16 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 15 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 72 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 18 ns

http://ixdev.ixys.com/datasheet/91534.pdf

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