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Transistor IXFN80N50

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SKU.: 007215
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    Detalhes do Produto Transistor IXFN80N50
    IXFN80N50 SOT-227-4
    MOSFET 500V 80A

    Caracteristicas:
    Polaridade do transistor: Canal N
    Corrente de Dreno Contínua Id: 80A
    Fonte de dreno Tensão Vds: 500V
    Resistência On Rds (on): 0,055ohm Rds (on)
    Tensão de teste Vgs: 10V
    Tensão do limiar Vgs: 4.5V
    Dissipação de energia Pd: 780W
    Transistor Estilo da caixa: ISOTOP
    Número de pinos: 4Pinos
    Temperatura de operação Max: 150° C
    Gama de produtos: Automotivo

    O IXFN80N50 é um modo de aprimoramento de canal N O Power MOSFET apresenta miniBLOC, com isolamento de nitreto de alumínio, baixo processo RDS (on) HDMOSTM, estrutura robusta de célula de polissilício e classificação de comutação indutiva não bloqueada (UIS).
    Retificador intrínseco rápido Alta classificação dv / dt
    Estrutura de célula de portão de polissilício robusto.
    Fácil de montar.
    Economia de espaço.
    Alta densidade de potência.

    Aplicações:
    Gerenciamento de energia, iluminação, acionamento e controle de motores.

    Para mais informações, entre em contato.
    Transistor IXFN80N50
    Especificações Técnicas
    Marca Ixys

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