Transistor IXFH52N30P IXYS

Transistor IXFH52N30P IXYS

Especificações
Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 300 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 52 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 73 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 5 V
Qg - Carga na porta: 110 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 400 W
Modo de canal: realce
Configuração: Single
Altura: 21,46 mm
Comprimento: 16,26 mm
Série: IXFH52N30
Tipo de transistor: 1 canal N
Tipo: Polar Power MOSFETs HiPerFET
Largura: 5,3 mm
Marca: IXYS
Transcondutância em avanço - Mín: 20 S
Tempo de queda: 20 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 22 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 60 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 24 ns

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