Transistor IRGPS40B120U = GPS40B120U

Transistor IRGPS40B120U = GPS40B120U
Transistor IGBT 1200V Ultra Fast 8-25kHz

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-274AA-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1,2 kV
Tensão de saturação do coletor - emissor: 3,5 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 80 A
Pd - Dissipação de potência: 595 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Embalagem: Vareta
Altura: 20,3 mm
Comprimento: 15,6 mm
Largura: 5 mm
Marca: Infineon Technologies
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs

O Transistor IRGPS40B120U (GPS40B120U) é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência, projetado para comutação eficiente em aplicações industriais. Com tensão máxima de coletor-emissor de 1200V e corrente contínua de até 40A, ele é ideal para inversores, fontes chaveadas, drivers de motor e sistemas de controle de potência.
O IRGPS40B120U combina a eficiência de comutação rápida de um MOSFET com a capacidade de condução de corrente de um transistor bipolar, oferecendo baixo RDS(on) equivalente, menor dissipação de energia e maior confiabilidade térmica. Fabricado pela International Rectifier, este IGBT proporciona robustez e estabilidade mesmo em operações contínuas e ambientes exigentes, sendo amplamente utilizado em aplicações industriais, automação e eletrônica de potência.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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