Transistor IRGP30B60KD-EP = IKW30N60DTP = K30DDTP

Transistor IRGP30B60KD-EP = IKW30N60DTP = K30DDTP
Transistor IGBT 600 Volts

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,35 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 60 A
Pd - Dissipação de potência: 304 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Embalagem: Vareta
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Largura: 5,31 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs

O IRGP30B60KD-EP é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de alta potência e chaveamento rápido.
Oferece excelente desempenho térmico, baixa perda de comutação e alta robustez elétrica.
Este componente é equivalente direto aos modelos IKW30N60DTP (Infineon) e K30DDTP, podendo ser utilizado como substituição em manutenções e projetos industriais sem necessidade de alterações no circuito.
Modelo: IRGP30B60KD-EP
Tipo: IGBT canal N
Tensão coletor-emissor (Vces): 600V
Corrente de coletor (Ic): 30A
Encapsulamento: TO-247
Equivalentes: IKW30N60DTP / K30DDTP

Muito utilizado em:
Inversores de frequência
Fontes chaveadas
Máquinas de solda
Nobreaks (UPS)
Equipamentos industriais de potência 

Especificações Técnicas:

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