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Transistor IRGP30B120KD
IRGP30B120KDPBF
Transistor IGBT 1200V Ultra Rapido
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247AD-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2,28 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 60 A
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Embalagem: Vareta
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
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