Transistor IRG7R313

Transistor IRG7R313

Especificações
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: DPAK-3
Estilo de montagem: SMD/SMT
Coletor - VEO máx. de voltagem do emissor: 330 V
Tensão de seleção do coletor - emissor: 1,35 V
Tensão do emissor do portão máximo: 30 V
Corrente contínuo do coletor a 25ºC: 40 A
Pd - Dissipação de potência: 78 W
Marca: Infineon/IR
Corrente de dispersão do portão - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Aliases de número de peça: SP001548002

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