Transistor IRFP4868PBF

Transistor IRFP4868PBF
MOSFETs

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 300 V
Id - Corrente de condução contínua: 70 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 32 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 5 V
Qg - Carga na porta: 270 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 517 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de queda: 45 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 80 S
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 16 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 62 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 24 ns
Largura: 5,31 mm

O IRFP4868PBF da Infineon Technologies é um transistor do tipo MOSFET canal N, desenvolvido para aplicações de altíssima corrente e potência.
Com capacidade elevada de corrente e baixa resistência Rds(on), é amplamente utilizado em inversores, fontes chaveadas, amplificadores e sistemas industriais.
Seu encapsulamento TO-247 garante excelente dissipação térmica, permitindo operação segura em aplicações exigentes.

Características Técnicas:
Modelo: IRFP4868PBF
Tipo: MOSFET N-Channel
Encapsulamento: TO-247
Alta corrente (até ~300A*)
Baixa resistência Rds(on)
Alta eficiência

Aplicações:
Inversores de potência
Máquinas de solda
Fontes chaveadas
Amplificadores de alta potência
Equipamentos industriais
Automotivo

Benefícios:
Altíssima corrente
Baixa dissipação
Excelente desempenho
Alta confiabilidade
Ideal para uso pesado

Dica Importante:
Necessário uso de dissipador
Pode exigir driver de gate adequado
Muito usado em inversores e soldas
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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