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Quando um MOSFET de potência entra em curto, fontes chaveadas, inversores, nobreaks e equipamentos industriais podem parar completamente. O IRFP4668 foi desenvolvido para aplicações de alta corrente, oferecendo baixa resistência de condução, excelente capacidade de chaveamento e alta confiabilidade para manutenção e novos projetos.
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 130 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 9,7 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 161 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 520 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5,31 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 150 S
Tempo de queda: 74 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 105 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 64 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 41 ns
O IRFP4668 é um MOSFET de potência de canal N fabricado pela Infineon (antiga International Rectifier).
É um transistor robusto projetado para aplicações de comutação de alta potência.
Aqui está um resumo de suas principais especificações e aplicações:
Especificações principais:
Polaridade do transistor: canal N
Tensão de ruptura dreno-fonte (Vds): 200V
Corrente de dreno contínua (Id): 130 A
Resistência de entrada dreno-fonte (Rds(on)): 9,7 mOhms (típico a 10 V Vgs)
Tensão de porta-fonte (Vgs): ±30 V
Carga de porta (Qg): 161 nC
Dissipação de energia (Pd): 520 W
Faixa de temperatura operacional: -55 °C a +175 °C
Pacote/Caixa: TO-247-3 (Orifício passante)
Principais características:
Melhoria na robustez do Gate, Avalanche e dV/dt dinâmico.
Capacitância totalmente caracterizada e SOA (Área de Operação Segura) de avalanche.
Capacidade aprimorada de diodo corporal dV/dt e dI/dt.
Sem chumbo.
Aplicações típicas:
Retificação Síncrona de Alta Eficiência em SMPS (Fontes de Alimentação Comutadas): Seu baixo Rds(on) a torna eficiente na redução de perdas de energia em fontes de alimentação.
Fonte de alimentação ininterrupta (UPS): usada nos estágios de conversão de energia dos sistemas UPS.
Comutação de energia de alta velocidade: adequada para aplicações que exigem comutação rápida de altas correntes.
Circuitos de comutação rígida e alta frequência: seu design robusto permite lidar com condições de comutação desafiadoras.
Motores CC e conversores CC-CC
Sistemas de gerenciamento de bateria
Inversores
Essas aplicações aparecem nas recomendações do fabricante.
✔ Curto entre dreno e source.
✔ Aquecimento excessivo.
✔ Equipamento não liga.
✔ Fonte armando proteção.
✔ Baixa eficiência.
✔ Queima após surto elétrico.
✔ Utilize pasta térmica de qualidade.
✔ Limpe completamente o dissipador.
✔ Verifique o isolador de mica ou thermal pad.
✔ Confira o aperto do parafuso no TO-247.
✔ Verifique driver, diodos e resistores de gate antes de energizar.
O MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um transistor eletrônico utilizado para controlar correntes e tensões em circuitos de potência. Ele funciona como um interruptor eletrônico de alta velocidade, permitindo ligar e desligar cargas com grande eficiência e baixo consumo de energia.
Graças ao seu excelente desempenho, os MOSFETs são amplamente utilizados em fontes chaveadas, inversores de frequência, nobreaks (UPS), carregadores, amplificadores, controles de motores e diversos equipamentos industriais e eletrônicos.
O IRFP4668 é um MOSFET de canal N (N-Channel). Esse tipo de transistor oferece alta capacidade de corrente, baixa resistência interna e excelente desempenho em aplicações de chaveamento, sendo o mais utilizado em eletrônica de potência.
A RDS(on) é a resistência interna entre o dreno (Drain) e a fonte (Source) quando o MOSFET está totalmente ligado.
Quanto menor esse valor:
✔ Menor aquecimento.
✔ Menor perda de energia.
✔ Maior eficiência do circuito.
✔ Maior vida útil do equipamento.
Por isso, o IRFP4668, com baixa RDS(on), é muito utilizado em aplicações que exigem alta corrente e alto rendimento.
O IRFP4668 é encontrado em diversos equipamentos eletrônicos e industriais, como:
Sua combinação de alta corrente, baixa resistência e excelente dissipação térmica faz dele uma escolha confiável para circuitos de potência.
Alguns sintomas comuns são:
✔ Equipamento não liga.
✔ Fusível queimando constantemente.
✔ Curto entre Drain e Source.
✔ Aquecimento excessivo.
✔ Fonte entrando em proteção.
✔ Baixa eficiência ou funcionamento intermitente.
Antes de substituir o MOSFET, recomenda-se verificar também o circuito de acionamento (driver), resistores de gate, diodos, capacitores e outros componentes associados, pois a queima do transistor pode ser consequência de outra falha no circuito.
MOSFETs originais oferecem maior confiabilidade elétrica, melhor dissipação térmica e desempenho dentro das especificações do fabricante. Em aplicações de potência, a utilização de componentes de procedência confiável ajuda a reduzir falhas, aumentar a vida útil do equipamento e garantir maior segurança durante a operação.
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