Transistor IRFP4127

Transistor IRFP4127
IRFP4127PBF Mosfet Trench 100 Volts

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 75 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 17 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 150 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 341 W
Modo de canal: realce
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 5,31 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 45 S
Tempo de queda: 22 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 18 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 56 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 17 ns
Analise do número da peça: IRFP4127PBF

Veja a descrição detalhada do componente IRFP4127 (MOSFET de potência de canal N):
Visão geral:
Trata‑se de um MOSFET de potência canal N, fabricado pela Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier) com número de peça IRFP4127 ou variantes como IRFP4127PBF.
Projeto para aplicações de comutação de potência — retificação síncrona, fontes chaveadas, UPS, controle de motor, etc.
Ele está listado como “End of Life” segundo o site da Infineon para essa designação específica.

Principais características elétricas:
Tensão dreno‑fonte máxima (V_DSS): 200 V para a versão padrão TO‑247 (IRFP4127) ou TO‑220 (IRFB4127) conforme pacote.
Corrente contínua de dreno (I_D) típica: ≈ 75 A (para TC = 25 °C, V_GS = 10 V) para versão TO‑247.
Resistência de condução (R_DS(on)) máxima: cerca de 21 mΩ quando V_GS = 10 V.
Temperatura de junção máxima (T_J) de até 175 °C.
Tensão porta‑fonte (V_GS) máxima contínua: ±20 V.
Potência de dissipação (P_D) em TC = 25 °C: cerca de 341 W para TO‑247‑acordo.

Características de comutação e térmicas:
Tempo de atraso de ativação (td(on)): ~17 ns; tempo de desligamento (td(off)): ~56 ns.
Carga de porta total (Q_G): ~100 nC (quando V_GS = 10 V, ID = 44 A) na versão que usa ficha técnica IRFB4127.
Energia de avalanche suportada (E_AS) num pulso: ~244 mJ para a versão TO‑247.
Resistência térmica junção‑para‑case: cerca de 0,4 °C/W.

Pacote / montagem:
Pacote comum: TO‑247AC para IRFP4127.
Versão similar: IRFB4127PBF em pacote TO‑220‑AB.
Montagem através de furo (through‑hole), com parafuso de fixação para dissipador térmico.

Aplicações típicas:
Fontes de alimentação chaveadas (SMPS) de média potência.
Retificação síncrona em fontes de energia ininterrupta (UPS), controle de motor DC, inversores de baixa tensão.
Qualquer aplicação que exija comutação relativamente rápida, boa condução e robustez.

Observações úteis para projeto.
Apesar de alta corrente e baixa resistência de condução, deve‑se cuidar com dissipação térmica: uso de bom dissipador e montagem correta para manter a junção em temperatura aceitável.
A tensão de porta (driver) deve garantir V_GS = 10 V ou mais (se for essa condição de R_DS(on) especificada), para garantir baixa resistência de condução.
Por estar listado como “End of Life” (EOL) para a designação IRFP4127 pela Infineon, pode ser mais difícil de encontrar ou com estoque reduzido — considerar alternativas mais recentes.
Verificar variações de pacotes e versões (TO‑220 vs TO‑247) ao fazer substituições ou compras, pois implicam diferenças de montagem e capacidade térmica.
Em aplicações com comutação frequente ou alta frequência, verificar os valores de carga de porta, capacitâncias e recuperação do diodo interno (body diode) para assegurar que o dispositivo se comportará bem.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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