Transistor IRFP31N50L

Transistor IRFP31N50L
Mosfet 500 Volts Canal N

Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do Furo
Caixa / Gabinete: TO-247AC-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 31 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 180 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Qg - Carga na porta: 210 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 460 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: Vishay Semiconductors
Configuração: Solteiro
Tempo de queda: 53 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 15 S
Altura: 20,82 milímetros
Largura: 15,87 milímetros
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 115 ns
Série: IRF
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 54 ns
Tempo típico de 28 ns
Largura: 5,31 mm

O IRFP31N50L é um transistor MOSFET canal N de alta tensão, projetado para aplicações que exigem robustez, eficiência e confiabilidade em sistemas de potência.
Com capacidade para operar em tensões elevadas (até aproximadamente 500V), é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores e equipamentos industriais.
Seu encapsulamento TO-247 proporciona excelente dissipação térmica, sendo ideal para aplicações de alta potência.

Características Técnicas:
Modelo: IRFP31N50L
Tipo: MOSFET Canal N
Encapsulamento: TO-247
Alta tensão (≈500V)
Alta capacidade de corrente
Alta eficiência

Aplicações:
Fontes chaveadas
Inversores
Equipamentos industriais
Sistemas de potência
Controle de energia
Projetos eletrônicos

Benefícios:
Alta tensão suportada
Excelente dissipação térmica
Alta confiabilidade
Ideal para potência
Versátil
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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