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Transistor IRFP260M

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008853
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Detalhes do produto
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IRFP260MPBF
Mosfet 200 Volts 49 Amperes 40mOhm 156nCAC

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa/Gabinete: TO-247-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de condução contínua: 50 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 40 mOhms
Vgs - Tensão de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 156 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 300 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de queda: 48 ns
Transcondutância em avanço - Mínimo: 27 S
Altura: 20,7 mm
Comprimento: 15,87 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 60 ns
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 55 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 17 ns
Largura: 5,31 mm

O IRFP260M é um MOSFET de potência do tipo canal‑N, fabricado pela Infineon / International Rectifier (e também reproduzido por fabricantes licenciados). Ele é pensado para aplicações de chaveamento de média a alta potência: inversores, fontes chaveadas (SMPS), drivers de motores, etc.

Especificações elétricas principais:

Parâmetro Valor típico / máximo Observações
Tensão dren‑fonte (V_DS) 200 V tensão máxima para dreno‑fonte.
Corrente drenagem contínua (I_D) 50 A em condições adequadas de dissipação térmica.
Potência de dissipação (P_D) 300 W quando montado em dissipador (caso TO‑247) e com boa ventilação/condições térmicas.
Resistência dren‐fonte ligada (R_DS(on)) até ~ 40 mΩ medida com gate‑source em certo valor (10 V) e temperatura de referência.
Tensão de gate‑source (V_GS) limites máx ±20 V além disso o gate pode danificar.
Tensão de limiar do gate (V_GS(th)) cerca de 3 V tensão na qual o dispositivo começa a conduzir.

Características térmicas:
Temperatura máxima da junção (T_j): ~ 175 °C.
Temperatura de armazenamento (T_stg): entre ‑55 °C e +175 °C.
Resistência térmica junção‑caso (R_th(j‑c)): 0,5 °C/W máx.
Resistência térmica junção‑ambiente (R_th(j‑a)): em torno de 40 °C/W quando sem dissipador.

Dinâmica de chaveamento e capacitâncias:
Carga total de gate (Q_G) em torno de 156 nC (em condição típica de V_GS=10V).
Carga de gate‑drain (Q_gd) ~73,3 nC.

Esses valores influenciam o tempo de subida/queda, perdas de chaveamento (switching losses), exigência de driver de porta com corrente suficiente.

Encapsulamento e pinagem:
Pacote: TO‑247 (versão TO‑247AC) – soquete through‑hole (PTH).
Pinagem típica: Gate, Drain, Source (os terminais de controle, drenagem e referência). A aba metálica do dissipador é ligada ao dreno.

Vantagens e limites
Vantagens:
Alta corrente com bom valor de tensão de ruptura (200 V) → adequado para comutar cargas médias‑altas.
Baixa R_DS(on) para diminuir perdas em condução.
Encapsulamento robusto que facilita dissipação térmica.
Tolerância a temperatura relativamente alta.

Limitações:
Tem perdas de chaveamento consideráveis se usado em frequências muito altas, por causa da carga de gate (Q_G) elevada. Exige driver de gate forte para minimizar os tempos de comutação.
Sem bom dissipador ou em ambiente quente, condição térmica se torna limitante.
Deve-se respeitar limite de V_GS, para evitar danos ao gate.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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