Transistor IRFBG30PBF

Transistor IRFBG30PBF
Mosfet 

Especificações:
Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220AB-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 1 kV
Id - Corrente de drenagem contínua: 3.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 5 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 80 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: realce
Marca: Vishay Semiconductors
Configuração: Single
Tempo de queda: 29 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25 ns
Série: IRFBG
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal N
Tempo de retardo de desligamento típico: 89 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 12 ns
Analise do número da peça: IRFBG30PBF-BE3

O Transistor IRFBG30PBF é um MOSFET Canal N de alta tensão, desenvolvido para aplicações que exigem confiabilidade e desempenho em circuitos de potência.
Com tensão máxima de 1000V e corrente de até 3A, é ideal para fontes chaveadas, estágios primários de alimentação, inversores e equipamentos industriais que operam com alta tensão.
Seu encapsulamento TO-220 permite fácil montagem e excelente dissipação térmica quando utilizado com dissipador.

Especificações Técnicas:
Modelo: IRFBG30PBF
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Dreno-Source (Vds): 1000V
Corrente de Dreno (Id): até 3A
Tecnologia: Alta tensão
Encapsulamento: TO-220
Montagem: Through Hole
Aplicação: Chaveamento de alta tensão

Aplicações:
Fontes chaveadas
Estágio primário de fontes
Inversores
Equipamentos industriais
Conversores AC-DC
Projetos de alta tensão

Vantagens:
Alta tensão suportada (1000V)
Boa estabilidade térmica
Excelente confiabilidade
Fácil montagem
Ideal para manutenção e reposição

Conteúdo da Embalagem:
01 Transistor IRFBG30PBF

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