Transistor IRFB4229

Transistor IRFB4229
IRFB4229PBF
Mosfet 250V 46A 46mOhm 72nC

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 250 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 46 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 46 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 30 V, + 30 V
Tensão de limite porta e fonte: 1,8 V
Qg - Carga na porta: 110 nC
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 330 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância em avanço - Mín: 83 S
Tempo de queda: 21 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 31 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 30 ns
Tempo típico de ativação / retardo: 18 ns

O transistor IRFB4229 é um MOSFET de potência desenvolvido para aplicações que exigem alta eficiência e comutação rápida. Com baixa resistência RDS(on), proporciona menores perdas de energia e melhor desempenho térmico, sendo ideal para circuitos de alta corrente.
É amplamente utilizado em fontes de alimentação chaveadas, inversores, conversores DC/DC, controles de motores e sistemas de potência em geral.
O IRFB4229 oferece excelente confiabilidade, estabilidade operacional e boa capacidade de dissipação de calor, sendo indicado tanto para projetos eletrônicos quanto para manutenção e reparo de equipamentos.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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