Transistor IRFB31N20D = FB31N20D

Transistor IRFB31N20D = FB31N20D
IRFB31N20DPBF Mosfet 200V 31A 82mOhm 70nC

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Através do orifício
Embalagem / Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 31 A
Rds On - Resistência da Fonte de Drenagem: 82 mOhms
Vgs - Tensão da fonte de porta: - 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensão de limiar de fonte de porta: 5,5 V
Qg - Taxa de Portão: 70 nC
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima de operação: + 175 C
Pd - Dissipação de energia: 200 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Vareta
Configuração: solteiro
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Transcondutância direta - Min: 17 S
Tempo de outono: 10 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de subida: 38 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de atraso típico para desligar: 26 ns
Tempo de atraso típico para ligar: 16 ns

Para mais informações, entre em contato.