Transistor IRF9Z34 IR

Transistor IRF9Z34
IRF9Z34NPBF - TO-220
Mosfet 55V 17A 100mOhm 23.3nC

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 17 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 100 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4 V
Qg - Carga na porta: 23,3 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 56 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal P
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs 

O IRF9Z34 é um transistor MOSFET de potência canal P projetado para aplicações que exigem alta eficiência em chaveamento e controle de energia.
Com tensão máxima de 55V e corrente de até 19A, é amplamente utilizado em fontes chaveadas, circuitos de controle de potência, inversores e drivers de carga.
Seu encapsulamento TO-220 permite fácil montagem em dissipadores de calor, garantindo melhor dissipação térmica e maior confiabilidade durante a operação.
O IRF9Z34 é muito utilizado em projetos eletrônicos, manutenção de equipamentos e circuitos que necessitam de um MOSFET robusto e eficiente.

Principais Características:
Modelo: IRF9Z34
Tipo: MOSFET Canal P
Tensão Drain-Source (Vds): 55V
Corrente máxima (Id): 19A
Baixa resistência Rds(on)
Alta eficiência de chaveamento
Encapsulamento: TO-220

Aplicações:
Fontes chaveadas
Inversores
Controle de potência
Drivers de carga
Amplificadores de potência
Projetos eletrônicos

Conteúdo da Embalagem:
1x Transistor IRF9Z34

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