Transistor IRF540N

Transistor IRF540N
Mosfet 75 Volts 82 Amperes 13mOhm 106.7nC

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 75 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 82 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 13 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 106,7 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 200 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Vareta
Configuração: Sozinho
Altura: 15,65 mm
Comprimento: 10 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 4,4 mm
Marca: Infineon Technologies
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs

O IRF540N é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, amplamente utilizado em aplicações que exigem comutação rápida, alta capacidade de corrente e excelente eficiência energética.
Ele é ideal para uso em fontes chaveadas, inversores, drivers de motores, amplificadores, controles PWM, projetos de automação e sistemas de potência em geral.
Este MOSFET opera com tensão máxima de dreno-fonte de até 100V e é capaz de conduzir correntes elevadas (até aproximadamente 33A), desde que utilizado com dissipação térmica adequada.
Seu baixo valor de resistência RDS(on) garante menor aquecimento e maior eficiência, mesmo em aplicações de alta carga.
O encapsulamento TO-220 permite fácil fixação em dissipadores de calor, garantindo excelente controle térmico e aumentando a confiabilidade do circuito.
Além disso, o IRF540N possui gate sensível e resposta rápida, sendo altamente eficiente em comutação por sinais de microcontroladores, quando corretamente polarizado.

Principais características:
Tipo: MOSFET de Canal N
Tensão máxima Dreno–Fonte (Vds): 100V
Corrente máxima de dreno (Id): até 33A
Baixa resistência RDS(on)
Alta velocidade de comutação
Encapsulamento: TO-220
Alta eficiência térmica e elétrica
Excelente robustez para aplicações de potência

Aplicações:
Fontes chaveadas
Inversores de tensão
Controle e acionamento de motores
Drivers de carga DC
Sistemas PWM
Automação industrial
Projetos de eletrônica de potência
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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