Transistor IRF530 Infineon

Transistor IRF530 Infineon

O Transistor MOSFET IRF530 Infineon é um componente eletrônico de potência de alta qualidade, projetado para aplicações que exigem chaveamento rápido, eficiência energética e excelente desempenho. Com tecnologia MOSFET de Canal N, é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, controles de motores, amplificadores e diversos circuitos eletrônicos de potência.

Fabricado pela Infineon, referência mundial em semicondutores, o IRF530 oferece baixa resistência de condução, alta confiabilidade e ótima capacidade de dissipação térmica, garantindo maior durabilidade e eficiência nos projetos eletrônicos.

Características Técnicas
Modelo: IRF530
Fabricante: Infineon
Tipo: Transistor MOSFET Canal N
Encapsulamento: TO-220
Tensão Dreno-Source (VDS): 100V
Corrente de Dreno (ID): até 14A
Baixa resistência RDS(on)
Alta velocidade de chaveamento
Excelente desempenho térmico

Aplicações
Fontes de alimentação chaveadas
Inversores de tensão
Controle de motores DC
Circuitos de automação
Amplificadores eletrônicos
Equipamentos industriais
Projetos eletrônicos e manutenção

Benefícios
Alta eficiência energética
Chaveamento rápido e confiável
Baixa perda de potência
Excelente dissipação térmica
Produto de qualidade Infineon

Conteúdo da Embalagem
01 Transistor MOSFET IRF530 Infineon

Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa
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