Transistor IRF3205S Smd

Transistor IRF3205S Smd
Mosfet 55V 110A

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 110 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 8 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 97,3 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 200 W
Modo de canal: Melhoria
Embalagem: Bobina
Configuração: Sozinho
Altura: 2,3 mm
Comprimento: 6,5 mm
Tipo de transistor: 1 canal N
Largura: 6,22 mm
Marca: Infineon / IR
Tipo de Produto: MOSFET
Subcategoria: MOSFETs

O Transistor IRF3205S SMD é um MOSFET Canal N de alta eficiência, ideal para aplicações que exigem alta corrente e baixa resistência RDS(on).
Com tensão máxima de 55V, é amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores automotivos, módulos de som, controladores PWM e projetos de potência.
Sua versão SMD (D2PAK / TO-263) permite montagem em superfície, oferecendo melhor dissipação térmica e maior robustez para aplicações profissionais.

Especificações Técnicas:
Modelo: IRF3205S
Tipo: MOSFET Canal N
Tensão Dreno-Source (Vds): 55V
Alta corrente de dreno
Baixa RDS(on)
Encapsulamento: SMD (D2PAK / TO-263)
Montagem: Superfície (SMD)
Aplicação: Chaveamento de potência

Aplicações:
Fontes chaveadas
Inversores automotivos
Módulos de som
Controladores PWM
Conversores DC-DC
Projetos de alta corrente

Vantagens:
Alta capacidade de corrente
Excelente eficiência energética
Baixa dissipação de calor
Encapsulamento robusto SMD
Ideal para uso profissional e industrial

Conteúdo da Embalagem:
01 Transistor IRF3205S SMD

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