Transistor IKW75N65EH5 = K75EEH5 Infineon
IGBTs
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: IGBTs
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Através do furo
Configuração: Solteiro
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 650 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.65 V
Tensão do emissor do gate máxima: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 90 A
Pd - Dissipação de potência: 395 W
Temperatura operacional mínima:- 40 C
Temperatura operacional máxima:+ 175 C
Série: Trenchstop IGBT5
Embalagem: Vareta
Marca: Infineon Technologies
País de montagem: CN
País de difusão: DE
País de origem:DE
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: IGBT Transistors
Subcategoria:IGBTs
Nome comercial:TRENCHSTOP
Analise do número da peça: IKW75N65EH5
O IKW75N65EH5 (K75EEH5) da Infineon é um transistor IGBT de alta performance, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade em potência.
Com capacidade de 650V e 75A, é amplamente utilizado em inversores, fontes industriais, máquinas de solda, UPS e acionamento de motores.
Seu encapsulamento TO-247 proporciona excelente dissipação térmica, ideal para aplicações de alta carga.
Características Técnicas:
Modelo: IKW75N65EH5 / K75EEH5
Tipo: IGBT (Transistor de potência)
Tensão: 650V
Corrente: 75A
Encapsulamento: TO-247
Alta eficiência
Baixas perdas
Aplicações:
Inversores de frequência
Fontes industriais
Máquinas de solda
UPS (nobreak)
Controle de motores
Equipamentos de potência
Benefícios:
Alta capacidade de corrente
Alta tensão (650V)
Excelente dissipação
Alta eficiência
Ideal para uso industrial
Dica Importante:
Necessário uso de dissipador térmico
Indicado para aplicações de potência
Verificar circuito de acionamento (driver)
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa
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