Transistor IKW75N65EH5 = K75EEH5

Transistor IKW75N65EH5 = K75EEH5 Infineon

O Transistor IKW75N65EH5, também conhecido como K75EEH5, é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta eficiência, desenvolvido para aplicações em potência que exigem alta corrente e tensão. Com capacidade de 75A e 650V, o componente combina as vantagens de um MOSFET de entrada isolada com a condução de baixa perda de um transistor bipolar, resultando em excelente desempenho em sistemas de comutação.
Este IGBT possui diodo rápido antirretorno integrado, o que reduz perdas e melhora a eficiência geral em circuitos de inversores, fontes chaveadas (SMPS), aquecimento por indução, drivers de motor e fontes industriais de alta potência. A tecnologia Trench Field Stop da Infineon garante baixas perdas de condução e rápida velocidade de comutação, contribuindo para uma operação mais fria e estável.

Características principais:
Tipo: IGBT de alta velocidade com diodo rápido integrado
Corrente de coletor (Ic): 75A
Tensão de coletor-emissor (Vce): 650V
Tecnologia: Trench Field Stop (E-Series)
Baixa perda de comutação e alta eficiência energética
Encapsulamento: TO-247
Fabricante: Infineon

Ideal para fontes chaveadas, inversores, conversores, sistemas de acionamento de motores e aplicações industriais que demandam alta confiabilidade e desempenho superior.
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

Para mais informações, entre em contato.