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O Transistor IKW75N65EH5, identificado pela marcação K75EEH5, é um IGBT de alta performance desenvolvido pela Infineon Technologies para aplicações que exigem elevada capacidade de corrente, excelente eficiência energética e máxima confiabilidade operacional.
Fabricado com a avançada tecnologia TRENCHSTOP™ 5, este componente oferece baixas perdas de comutação, excelente desempenho térmico e alta robustez para sistemas eletrônicos de potência utilizados em aplicações industriais e profissionais.
Seu encapsulamento TO-247 proporciona ótima dissipação de calor, tornando este IGBT uma excelente escolha para manutenção eletrônica, reparo de equipamentos industriais, reposição técnica e desenvolvimento de sistemas de potência.
✔ Transistor IGBT IKW75N65EH5
✔ Marcação K75EEH5
✔ Fabricante Infineon Technologies
✔ Tecnologia TRENCHSTOP™ 5
✔ Tensão máxima de 650V
✔ Corrente elevada de 75A
✔ Excelente eficiência energética
✔ Baixas perdas de comutação
✔ Alta velocidade de chaveamento
✔ Encapsulamento TO-247
✔ Excelente desempenho térmico
✔ Alta confiabilidade industrial
O IKW75N65EH5 oferece elevada eficiência e excelente estabilidade operacional em aplicações que exigem controle de potência e alto desempenho eletrônico.
Sua tecnologia avançada contribui para redução de perdas energéticas, melhor rendimento dos sistemas e maior confiabilidade dos equipamentos onde é aplicado.
É uma excelente opção para técnicos, profissionais de manutenção, desenvolvedores e empresas que trabalham com eletrônica de potência e sistemas industriais.
Sim. K75EEH5 é a marcação encontrada no componente e corresponde ao modelo IKW75N65EH5 da Infineon.
Sim. O IKW75N65EH5 é amplamente utilizado em inversores, fontes industriais, UPS, sistemas fotovoltaicos e equipamentos eletrônicos de potência.
Sim. Este componente é muito utilizado em manutenção industrial, substituição de IGBTs, reparos eletrônicos e reposições técnicas profissionais.
Garanta agora o Transistor IKW75N65EH5 K75EEH5 Infineon e obtenha máxima eficiência, estabilidade e desempenho para aplicações eletrônicas de potência.