Transistor IKW75N60T = K75T60

Transistor IKW75N60T = K75T60
Transistor IGBT 600V 75A

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Sozinho
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,5 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 80 A
Pd - Dissipação de potência: 428 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C
Série: Trenchstop IGBT3
Embalagem: Vareta
Altura: 21,1 mm
Comprimento: 16,03 mm
Largura: 5,16 mm
Marca: Infineon Technologies
Tensão do coletor contínua: 80 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: TRENCHSTOP
Analise do número da peça: IKW75N6TXK - IKW75N60TFKSA1

O transistor IKW75N60T e K75T60 geralmente se referem ao mesmo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) ou a um IGBT altamente compatível.
Muitos distribuidores e listas de produtos os utilizam indistintamente ou afirmam que um é equivalente/abreviação do outro.

Informações importantes sobre IKW75N60T / K75T60.
Este é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) de alto desempenho fabricado pela Infineon Technologies.
Faz parte da série "Low Loss DuoPack", conhecida por suas tecnologias TrenchStop™ e Fieldstop, que proporcionam excelente eficiência em aplicações de comutação de energia.

Aqui estão suas principais características:
Fabricante: Infineon Technologies
Tipo: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Tecnologia: Apresenta tecnologia TrenchStop™ e Fieldstop, projetadas para perdas muito baixas durante a comutação e a condução.
Tensão nominal (VCE): 600 Volts (tensão coletor-emissor).
Classificação de corrente (CI): Normalmente 75 Amperes (a 25 °C), com algumas fontes indicando até 80 Amperes para corrente contínua do coletor a 25 °C.
Pacote: TO-247, um pacote passante comum e robusto, adequado para aplicações de alta potência devido às suas boas capacidades de dissipação térmica.

Principais características:
VCE(sat) baixo: Tensão de saturação coletor-emissor muito baixa (normalmente 1,5 V), o que minimiza a perda de potência durante a condução.
Diodo de Recuperação Suave Ultrarrápido: Inclui um diodo HE antiparalelo, macio e de rápida recuperação, controlado por emissor. Este diodo é crucial para lidar com cargas indutivas e reduzir perdas de comutação e EMI (Interferência Eletromagnética).
Alta temperatura de junção: pode operar em uma temperatura máxima de junção de 175 °C, garantindo desempenho robusto em ambientes exigentes.
Tempo de resistência a curto-circuito: apresenta um tempo de resistência a curto-circuito de 5µs, o que aumenta sua robustez.
Distribuição de parâmetros precisa: permite o paralelismo mais fácil de vários dispositivos.
Em conformidade com RoHS: atende aos padrões ambientais.

Aplicações comuns:
Devido às suas altas classificações de tensão e corrente, capacidade de comutação rápida e diodo integrado, o IKW75N60T / K75T60 é amplamente utilizado em:
Controle de motor: aplicações de acionamento de motores industriais e automotivos.
Fontes de alimentação ininterruptas (UPS): para conversão de energia eficiente.
Conversores de frequência: Em vários sistemas industriais.
Eletrodomésticos: Eletrodomésticos de alta potência que exigem comutação eficiente.
Infraestrutura de telecomunicações: conversão e gerenciamento de energia.

Ao comprar, sempre verifique o número completo da peça com seu fornecedor ou consulte a folha de dados oficial da Infineon Technologies para garantir que as especificações exatas atendam às suas necessidades.
Valor Unitário
Imagem Meramente Ilustrativa

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