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Transistor IGW60T120 = G60T120
Transistor IGBT 1200 Volts 60 Amperes
Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Através do Furo
Configuração: Solteiro
Coletor - VEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,7 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínuo do coletor a 25ºC: 100 A
Pd - Dissipação de potência: 375 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: TRENCHSTOP IGBT
Embalagem: Tubo
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do portão - emissor: 600 nA
Altura: 20,95 milímetros
Largura: 15,9 mm
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: TRENCHSTOP
Largura: 5,3 mm
Analise do número da peça: IGW60T120FKSA1
O IGBT IGW60T120, também conhecido como G60T120, é um transistor de potência projetado para aplicações que exigem alta eficiência e robustez em chaveamento de energia.
Com capacidade de 1200V e corrente de até 60A, este componente é amplamente utilizado em circuitos de potência como inversores, fontes chaveadas, controladores de motores, nobreaks e equipamentos industriais.
Seu encapsulamento TO-247 proporciona excelente dissipação térmica, permitindo operação estável mesmo em aplicações de alta carga.
É um componente confiável para projetos de eletrônica de potência e manutenção de equipamentos.
Principais Características:
Modelo: IGW60T120 / G60T120
Tipo: Transistor IGBT
Tensão coletor-emissor: 1200V
Corrente máxima: 60A
Encapsulamento: TO-247
Alta eficiência em chaveamento
Baixa perda de condução
Excelente desempenho térmico
Aplicações:
Inversores de frequência
Fontes chaveadas (SMPS)
Nobreaks (UPS)
Máquinas de solda inversora
Controle de motores
Equipamentos industriais
Conteúdo da Embalagem:
1x Transistor IGBT IGW60T120 / G60T120
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