Transistor IGW40T120 IGBT 1200V 80A TO-247 Original

O Transistor IGW40T120 é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta potência, desenvolvido para aplicações que exigem elevada tensão, alta corrente e excelente eficiência de chaveamento.

Amplamente utilizado em inversores, máquinas de solda, nobreaks (UPS), fontes industriais e sistemas de automação, este componente suporta até 1200V de tensão coletor-emissor e corrente nominal de até 80A em regime pulsado (corrente contínua típica de 40A), oferecendo desempenho robusto e alta confiabilidade.

Fabricado pela Infineon Technologies, referência mundial em semicondutores de potência, o IGW40T120 utiliza encapsulamento TO-247, proporcionando excelente dissipação térmica e facilidade de montagem.

Principais Benefícios:

• IGBT de alta potência
• Tensão máxima de 1200V
• Corrente contínua de 40A (até 80A em pulso)
• Encapsulamento TO-247
• Alta eficiência no chaveamento
• Excelente dissipação térmica
• Produto original Infineon
• Ideal para aplicações industriais

Características Técnicas:

• Código: IGW40T120
• Tipo: IGBT
• Fabricante: Infineon Technologies
• Tensão Coletor-Emissor (VCES): 1200V
• Corrente de Coletor (IC): 40A contínuos
• Corrente de Pico (ICM): até 80A
• Encapsulamento: TO-247
• Aplicação: Chaveamento de potência

Aplicações:

• Máquinas de solda
• Inversores de frequência
• Nobreaks (UPS)
• Fontes chaveadas industriais
• Sistemas de energia
• Automação industrial
• Equipamentos de potência

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