Transistor IGW40T120 = G40T120

Transistor IGW40T120 = G40T120
Transistor IGBT 1200 Volts 40 Amperes

Especificações:
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Através do Furo
Configuração: Solteiro
Coletor - VEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1,7 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínuo do coletor a 25ºC: 75 A
Pd - Dissipação de potência: 270 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: TRENCHSTOP IGBT
Embalagem: Vareta
Marca: Infineon Technologies
Corrente de dispersão do portão - emissor: 600 nA
Altura: 20,95 milímetros
Largura: 15,9 mm
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: TRENCHSTOP
Largura: 5,3 mm
Analise do número de peça: IGW40T120FKSA1

O Transistor IGW40T120 (G40T120) é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potência projetado para aplicações que exigem alta eficiência, robustez e confiabilidade em sistemas de média e alta potência. Com tensão máxima de 1200V e corrente de 40A, oferece excelente desempenho em aplicações industriais e eletrônicas avançadas.
Este IGBT combina baixa perda de comutação, alta velocidade de comutação e eficiência energética, reduzindo aquecimento e aumentando a durabilidade do sistema. É amplamente utilizado em inversores de frequência, fontes chaveadas (SMPS), conversores de energia e outros equipamentos que demandam alta performance e confiabilidade.
Além disso, o IGW40T120 possui robustez térmica e estabilidade operacional, garantindo operação segura mesmo sob condições exigentes de carga e temperatura.

Principais aplicações:
Inversores de frequência e motores elétricos
Fontes chaveadas (SMPS)
Conversores de energia industrial
Equipamentos eletrônicos de alta performance
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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