Transistor IGBT G40H120DF2 = STGWA40H120DF2 ST

Transistor IGBT G40H120DF2 = STGWA40H120DF2 ST
IGBT G40H120DF2 = STGWA40H120DF2
IGBT de parada de campo com gate de trincheira, série H, 1200V, 40A de alta velocidade

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: IGBTs
Tecnologia: Si
Embalagem/Caixa: TO-247-3
Estilo de montagem: Furo passante
Configuração: Solteiro
Tensão coletor-emissor VCEO máx.: 1,2 kV
Tensão de saturação coletor-emissor: 2,5 V
Tensão máxima entre porta e emissor: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25 °C: 80 A
Pd - Dissipação de energia: 468 W
Temperatura mínima de funcionamento: - 55°C
Temperatura máxima de funcionamento: + 175 C
Série: STGWA40H120DF2
Embalagem: Vareta
Marca: STMicroelectronics
Corrente contínua do coletor: 40 A
Corrente contínua do coletor Ic Máx.: 80 A
Corrente de fuga entre porta e emissor: 250 nA
Altura: 5,15 mm
Comprimento: 20,15 mm
Faixa de temperatura de operação: -55 °C a +175 °C
Tipo de produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Largura: 15,75 mm

O STGWA40H120DF2 é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potência da STMicroelectronics, projetado com tecnologia Trench Gate Field-Stop, que oferece um excelente equilíbrio entre perdas de condução e comutação — ideal para aplicações de conversão de energia com alta frequência.
Esse dispositivo pertence à série H, com tensão de bloqueio mais elevada para aplicações de potência industrial onde são exigidos níveis altos de tensão e corrente.

Características Técnicas Detalhadas:
Estrutura e Tecnologia
Tipo: IGBT de potência de alta velocidade
Tecnologia: Trench Gate Field-Stop (estrutura avançada para eficiência de comutação).

Capacidades Elétricas:
Tensão máxima coletor-emissor: 1200 V — apropriado para sistemas industriais de alta potência.
Corrente contínua de coletor: até 80 A @ 25 °C (40 A @ 100 °C), com picos de 160 A em regime pulsado.
Tensão de saturação típica: cerca de 2,1 V @ 40 A — reduz perdas durante condução.
Capacidade de dissipação de potência: cerca de 468W.

Desempenho Térmico
Temperatura máxima de junção: até 175 °C.
Baixa resistência térmica ajuda na dissipação eficaz do calor.

Comutação:
Série de comutação de alta velocidade com corrente de cauda minimizada, melhorando a eficiência em frequências elevadas.
Diodo antiparalelo de recuperação rápida integrado.

Configuração e Embalagem:
Encapsulamento: TO-247-3 through-hole — padrão para dispositivos de potência com facilidade de montagem em dissipadores térmicos.

Principais Benefícios:
Alta tensão de operação para aplicações robustas.
Excelente desempenho em comutação rápida.
Permite paralelismo seguro graças à distribuição estável dos parâmetros.
Operação confiável em temperaturas elevadas.

Aplicações Típicas:
Esse IGBT é amplamente utilizado em sistemas de potência industrial, como:
Inversores e conversores de frequência
Fontes chaveadas de alta potência
UPS (fontes de alimentação ininterruptas)
Correção ativa do fator de potência
Inversores fotovoltaicos e sistemas solares
Máquinas de solda industriais
Conversores de motor elétrico de grande porte 
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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