Transistor IGBT G25M120DF3 = STGW25M120DF3

Transistor IGBT G25M120DF3 = STGW25M120DF3
IGBTs de porta de trincheira com parada de campo, série M, 1200V, 25A, baixa perda

Especificações:
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: IGBTs
Tecnologia: Si
Embalagem/Caixa: TO-247-3
Estilo de montagem: Furo passante
Configuração: Solteiro
Tensão coletor-emissor VCEO máx.: 1,2 kV
Tensão de saturação coletor-emissor: 1,85 V
Tensão máxima entre porta e emissor: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25 °C: 50 A
Pd - Dissipação de energia: 326 W
Temperatura mínima de funcionamento: - 55°C
Temperatura máxima de funcionamento: + 175 C
Série: M
Embalagem: Vareta
Marca: STMicroelectronics
Corrente de fuga entre porta e emissor: 250 nA
Tipo de produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs 

O STGW25M120DF3 é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potência com tecnologia Trench Gate Field-Stop da STMicroelectronics, projetado para oferecer um equilíbrio otimizado entre desempenho e eficiência em aplicações de potência industrial de alta tensão. Ele faz parte da série M de IGBTs, conhecida por perdas baixas e capacidade de suportar curtos-circuitos por curtos períodos.

Características Técnicas Detalhadas:
Tipo e Tecnologia
IGBT de potência com estrutura Trench Gate Field-Stop — otimizado para baixa perda e eficiência de comutação.

Capacidades Elétricas:
Tensão máxima coletor-emissor: 1200V — adequado para aplicações industriais de alta tensão.
Corrente contínua de coletor: tipicamente até 50 A dependendo da condição térmica e de projeto do circuito.
Tensão de saturação coletor-emissor: aproximadamente 1,85 V @ 25 A (típica), reduzindo perdas durante condução.
Potência máxima de dissipação: cerca de 375 W em condições ideais de resfriamento. Tensão máxima porta-emissor: ±20 V — típico para controle de gate.

Desempenho Térmico:
Temperatura máxima de junção: até 175 °C, permitindo operação robusta em ambientes severos.
Baixa resistência térmica — favorece melhor dissipação de calor.

Comutação e Proteção:
Tempo de resistência a curto-circuito (~10 µs): protege o dispositivo em eventos transitórios.
Diodo antiparalelo de recuperação suave e rápida — melhora a performance em modos de comutação reversa.

Encapsulamento:
Pacote TO-247-3 — adequado para montagem em dissipadores térmicos e uso em aplicações de alta potência.

Principais Benefícios:
Excelente eficiência de comutação e condução com perdas reduzidas.
Capacidade de operação em alta tensão e alta corrente.
Projeto robusto para ambientes industriais exigentes.
Boa performance para paralelamento seguro em sistemas com múltiplos IGBTs.

Aplicações Típicas:
Este transistor IGBT é ideal para uso em:
Conversores e inversores industriais
Fontes chaveadas de alta potência
UPS (Fontes de Alimentação Ininterrupta)
Controle de motores e drives industriais
Inversores fotovoltaicos e sistemas de energia renovável
Soldagem elétrica e equipamentos de potência
Valor Unitário
Imagem Ilustrativa

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