Transistor HGTG20N60B3D = G20N60B3D

Transistor HGTG20N60B3D = G20N60B3D
Transistores IGBT

Especificações:
Fabricante: ON Semiconductor
Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-247-3
Estilo de montagem: Orifício de passagem
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.8 V
Tensão do emissor do portão máximo: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 20 A
Pd - Dissipação de potência: 165 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: HGTG20N60B3D
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 40 A
Altura: 20,82 mm
Comprimento: 15,87 mm
Largura: 4,82 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Tensão do coletor contínua: 40 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: +/- 100 nA
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Subcategoria: IGBTs
Analise do número da peça: HGTG20N60B3D

O Transistor HGTG20N60B3D (G20N60B3D) é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de potência projetado para oferecer alta eficiência, robustez e confiabilidade em aplicações de média e alta potência. Com tensão máxima de 600V e corrente de 20A, este componente é ideal para sistemas eletrônicos que exigem comutação rápida e operação estável.
O HGTG20N60B3D combina baixa perda de comutação, alta velocidade de comutação e eficiência energética, reduzindo aquecimento e aumentando a durabilidade do equipamento. É amplamente utilizado em inversores de frequência, fontes chaveadas (SMPS), conversores de energia e outros sistemas industriais que demandam desempenho confiável.
Além disso, o IGBT possui robustez térmica e estabilidade operacional, garantindo funcionamento seguro mesmo sob condições exigentes de carga e temperatura.

Principais aplicações:
Inversores de frequência e motores elétricos
Fontes chaveadas (SMPS)
Conversores de energia industrial
Equipamentos eletrônicos de alta performance
Valor Unitário
imagem Ilustrativa

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